Работая в ключевом режиме, силовые полевые транзисторы (MOSFET) должны переключаться с одного состояния в другое за минимальный промежуток времени, так как время переходных процессов - один из факторов, влияющих на динамические потери транзистора. В конечном итоге время включения и выключения силового ключа влияет на КПД всей конструкции. Поэтому полевые транзисторы должны управляться от низкоимпедансного источника, способного как отдавать, так и принимать достаточное количество тока для быстрого изменения заряда на управляющем электроде. В таких случаях используют специальные схемы (каскады, микросхемы), которые называются драйверами.

Необходимость эффективного управления силовыми полевыми транзисторами привела к изготовлению представленного драйвера. Данная конструкция собрана на дискретных SMD элементах, что позволило минимизировать ее размеры. Оптимизация схемы осуществлялась при напряжении питания 12В.

Внешний вид драйвера полевого транзистора со стороны SMD компонентов. Расстояние между выводами платы составляет 2,54 мм.

На противоположной стороне платы размещен всего один элемент электрической схемы драйвера.